Автор: Отахонова, Ш.Н.
Аннотация: В последнее время кремния, легированный редкоземельными элементами (РЗЭ) привлекает все большее внимание исследователей как перспективный материал для электроники. Это обуславливается перспективой применения Si <РЗЭ> структур в кремнийвой электронике в качестве приборов.
Ключевые слова: редкоземельными элементами, быстродиффундирующих примесей, концентрация носителей заряда, геттерирование Ni в кремнии
Кадиров Мухаммаджон