Автор: Muminov, Islomjon Arabboyevich; Sobirova, Dilnoza Davlatjon qizi; Toshqo'ziyev, Rahmatulla A'zamjon o'g'li; Saidjonova, Muqaddam Sobirjon qizi

Аннотация: При наблюдении тонкого p-n перехода область перехода считается очень тонкой (поверхностно-активной), так что носители заряда могут проходить через основной слой подвижности потока заряда без рекомбинации. Этот случай представлен неравенством, где - толщина барьерного слоя и - длина диффузии. Контакты между полупроводником и металлическими электродами являются антиразрушающими и расположены вдали от перехода. Это гарантирует, что любые несбалансированные носители заряда полностью рекомбинируют до достижения контактов. Таким образом, можно сказать, что падение напряжения в цепи также игнорируется, и все внешние потенциалы прикладываются через p-n переход. В этой статье это подробно обсуждается.

Ключевые слова: Теория тонкого p-n перехода, физические свойства носителей заряда, короткий переход, поверхностный слой основного заряда, рекомбинация, толщина барьерного слоя, длина диффузии, внешний потенциал, поверхностная рекомбинация, концентрация избыточных носителей заряда, линейная рекомбинация.

Страницы в журнале: 92 - 98