Автор: Rahmonqulova, Nargiza Baxromjon qizi; Eraliyeva, Nargizaxon Ulug’bek qizi; Madaminov, Jaxongir Shuxratbek o’g’li

Аннотация: В данной статье рассматривается полупроводниковый кремний, широко используемый на практике в качестве устройства для преобразования световой энергии в электрическую на основе построения p-n перехода или барьера Шоттки на основе полупроводникового кристалла.

Ключевые слова: барьер Шоттки, фотоэлектрическое устройство, вольт-амперные характеристики, просветляющий слой, зона пропускания, фотогенерированный заряд.

Страницы в журнале: 1380 - 1386